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품절
BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
578원
(VAT 별도)-
제품번호
G000217950
-
브랜드명
Infineon Technologies
-
제조사
Infineon Technologies
-
M.O.Q
2500
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
테이프 및 릴(TR)
-
판매단위
2500
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 60V 3.1A, 2A 2W 표면 실장 PG-DSO-8
- 수량별단가
2500 ~ 4999 : 578원
5000 ~ 7499 : 536원
7500 ~ 12499 : 514원
12500 ~ : 504원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | N 및 P 채널 |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A, 2A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 2V @ 20µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 22.5nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 380pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 |
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