
* 본 이미지는 참고용입니다.제품의 정확한 사양은 데이터시트를 참고 바랍니다.

| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| FET 유형 | P채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Ta) |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | - |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 750 pF @ 20 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
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