*상세페이지가 노출되지 않을 시 Ctrl+F5를 눌러 캐시 삭제를 해주세요.
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| FET 유형 | P채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | DPAK |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 |
등록된 사용후기
사용후기가 없습니다.
등록된 상품문의
상품문의가 없습니다.












(1557).jpg)




































































.jpg)



















