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반도체/전자부품
FDC6333C

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6

16%

265

314원(VAT 별도)
  • 제품번호

    G000272156

  • 브랜드명

    onsemi

  • 제조사

    onsemi

  • M.O.Q

    1

  • 평균발송일

    약 4일

  • 포장단위

    테이프 및 릴(TR)

  • 판매단위

    1

  • 배송비

    3,000 (60,000원 이상 무료배송)

MOSFET - 어레이 30V 2.5A, 2A 700mW 표면 실장 SuperSOT™-6
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항목 내용
제조업체 onsemi
기술 MOSFET(금속 산화물)
구성 N 및 P 채널
FET 특징 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 2.5A, 2A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 95m옴 @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 6.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 282pF @ 15V
전력 - 최대 700mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지 SuperSOT™-6

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