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반도체/전자부품
SI4936BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
-12% 763원(VAT 별도)
854원
-
제품번호
G000275045
-
브랜드명
Vishay Siliconix
-
제조사
Vishay Siliconix
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 4일
-
포장단위
테이프 및 릴(TR)
-
판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 30V 6.9A 2.8W 표면 실장 8-SOIC
수량
총 주문 금액
854원
(VAT 포함) 939원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 N-Chan(이중) |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.9A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 5.9A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 15nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 530pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 2.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC |
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