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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 960mA(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 580mA, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 2W(Ta), 3.1W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
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