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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Microchip Technology |
| FET 유형 | P채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54mA(Tj) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125옴 @ 10mA, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 1W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 스루홀 |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) |
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