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반도체/전자부품
SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
600원
(VAT 별도)-
제품번호
G000339355
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브랜드명
Vishay Siliconix
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제조사
Vishay Siliconix
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M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
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포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W 표면 실장 8-TSSOP
- 수량별단가
3000 ~ 5999 : 600원
6000 ~ 8999 : 571원
9000 ~ : 552원
수량
총 주문 금액
600원
(VAT 포함) 660원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | N 및 P 채널 |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A, 6.1A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 23nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 850pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 1.6W, 1.7W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSSOP |
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