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반도체/전자부품
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
484원
(VAT 별도)-
제품번호
G000339416
-
브랜드명
Toshiba Semiconductor and Storage
-
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
테이프 및 릴(TR)
-
판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 40 V 80A(Tc) 630mW(Ta), 104W(Tc) 표면 실장 8-TSON Advance(3.1x3.1)
- 수량별단가
5000 ~ 9999 : 484원
10000 ~ : 468원
수량
총 주문 금액
484원
(VAT 포함) 532원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 40A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 2.4V @ 300µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 3600 pF @ 20 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 630mW(Ta), 104W(Tc) |
| 작동 온도 | 175°C |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
| 패키지/케이스 | 8-PowerVDFN |
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