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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | EPC |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | GaNFET(질화 갈륨) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 1A, 5V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 0.83 nC @ 5 V |
| Vgs(최대) | +5.75V, -4V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 88 pF @ 50 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 등급 | 자동차 |
| 인증 | AEC-Q101 |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | 다이 |
| 패키지/케이스 | 다이 |
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