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반도체/전자부품
SIS903DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
594원
(VAT 별도)-
제품번호
G000339916
-
브랜드명
Vishay Siliconix
-
제조사
Vishay Siliconix
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta), 23W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 이중
- 수량별단가
3000 ~ 5999 : 594원
6000 ~ 8999 : 552원
9000 ~ : 531원
수량
총 주문 금액
594원
(VAT 포함) 653원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 P 채널(이중) |
| FET 특징 | - |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20.1m옴 @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 42nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 2.6W(Ta), 23W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 이중 |
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