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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 N 채널 및 2 P 채널 |
| FET 특징 | - |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | - |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 56pF @ 25V, 75pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 12-VFDFN 노출형 패드 |
| 공급 장치 패키지 | 12-DFN(4x4) |
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