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반도체/전자부품
SI4931DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
4,265원
(VAT 별도)-
제품번호
G000429343
-
브랜드명
Vishay Siliconix
-
제조사
Vishay Siliconix
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
컷 테이프(CT)
-
판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 12V 6.7A 1.1W 표면 실장 8-SOIC
- 수량별단가
1 ~ 9 : 4,265원
10 ~ 99 : 2,758원
100 ~ 499 : 1,898원
500 ~ : 1,556원
수량
총 주문 금액
4,265원
(VAT 포함) 4,692원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 P 채널(이중) |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 8.9A, 4.5V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 350µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 52nC(4.5V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC |
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