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반도체/전자부품
IPT039N15N5ATMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
3,469원
(VAT 별도)-
제품번호
G000513261
-
브랜드명
Infineon Technologies
-
제조사
Infineon Technologies
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
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포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 150 V 21A(Ta), 190A(Tc) 3.8W(Ta), 319W(Tc) 표면 실장 PG-HSOF-8
수량
총 주문 금액
3,469원
(VAT 포함) 3,816원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 190A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 50A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 4.6V @ 257µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 7700 pF @ 75 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 3.8W(Ta), 319W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | PG-HSOF-8 |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN |
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