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반도체/전자부품
IPB60R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
9,715원
(VAT 별도)-
제품번호
G000513530
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브랜드명
Infineon Technologies
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제조사
Infineon Technologies
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M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
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포장단위
컷 테이프(CT)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 600 V 37.9A(Tc) 278W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
- 수량별단가
1 ~ 9 : 9,715원
10 ~ 99 : 6,522원
100 ~ : 4,729원
수량
총 주문 금액
9,715원
(VAT 포함) 10,687원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.9A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 18.1A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 119 nC @ 10 V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 2660 pF @ 100 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 278W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB |
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