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반도체/전자부품
G3R160MT12J-TR
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
11,021원
(VAT 별도)-
제품번호
G000513868
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브랜드명
GeneSiC Semiconductor
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제조사
GeneSiC Semiconductor
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M.O.Q
1
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평균발송일
약 6일
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포장단위
컷 테이프(CT)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 1200 V 19A(Tc) 110W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
- 수량별단가
1 ~ 9 : 11,021원
10 ~ 24 : 9,897원
25 ~ 99 : 9,487원
100 ~ : 9,264원
수량
총 주문 금액
11,021원
(VAT 포함) 12,123원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | SiCFET(실리콘 카바이드) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 18V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 2.7V @ 5mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 23 nC @ 15 V |
| Vgs(최대) | +22V, -10V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 724 pF @ 800 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 110W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | TO-263-7 |
| 패키지/케이스 | TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA |
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