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반도체/전자부품
IMBG120R053M2HXTMA1
SICFET N-CH 1200V 41A TO263
5,764원
(VAT 별도)-
제품번호
G000514501
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브랜드명
Infineon Technologies
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제조사
Infineon Technologies
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M.O.Q
1
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평균발송일
약 6일
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포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 1200 V 41A(Tc) 205W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-7-12
수량
총 주문 금액
5,764원
(VAT 포함) 6,340원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | SiCFET(실리콘 카바이드) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 41A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52.6m옴 @ 13.2A, 18V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 5.1V @ 4.1mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 30 nC @ 18 V |
| Vgs(최대) | +23V, -10V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1010 pF @ 800 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 205W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-12 |
| 패키지/케이스 | TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA |
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