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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | SiCFET(실리콘 카바이드) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 18V, 20V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 13A, 20V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 5.1V @ 4.3mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 32 nC @ 20 V |
| Vgs(최대) | +25V, -10V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 880 pF @ 800 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 259W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 등급 | 자동차 |
| 인증 | AEC-Q101 |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | PG-HDSOP-22 |
| 패키지/케이스 | 22-PowerBSOP 모듈 |
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