
* 본 이미지는 참고용입니다.제품의 정확한 사양은 데이터시트를 참고 바랍니다.

| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 N-Chan(이중) |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 305mA |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 50mA, 5V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | - |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 400mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 |
| 공급 장치 패키지 | SOT-26 |
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