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반도체/전자부품
SSM6H19NU,LF
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
152원
(VAT 별도)-
제품번호
GC00070516
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브랜드명
Toshiba Semiconductor and Storage
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제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
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M.O.Q
1
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평균발송일
약 6일
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포장단위
테이프 및 릴(TR)
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판매단위
1
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배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
N채널 40 V 2A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 6-UDFN(2x2)
- 수량별단가
3000 ~ 5999 : 152원
6000 ~ 8999 : 119원
9000 ~ 14999 : 113원
15000 ~ : 111원
수량
총 주문 금액
152원
(VAT 포함) 167원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40 V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) |
| 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 185m옴 @ 1A, 8V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 2.2 nC @ 4.2 V |
| Vgs(최대) | ±12V |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 130 pF @ 10 V |
| FET 특징 | - |
| 내전력(최대) | 1W(Ta) |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) |
| 등급 | - |
| 인증 | - |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 |
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