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반도체/전자부품
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
615원
(VAT 별도)-
제품번호
GC00070627
-
브랜드명
Diodes Incorporated
-
제조사
Diodes Incorporated
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
컷 테이프(CT)
-
판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 30V 3.8A, 2.5A 850mW 표면 실장 TSOT-26
- 수량별단가
1 ~ 9 : 615원
10 ~ 99 : 376원
100 ~ 499 : 216원
500 ~ 999 : 166원
1000 ~ : 143원
수량
총 주문 금액
615원
(VAT 포함) 677원
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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | N 및 P 채널 |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 3.4A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 12.3nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 422pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 850mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 |
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