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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | EPC |
| 출력 구성 | 하프브리지 |
| 응용 분야 | 범용 |
| 인터페이스 | 논리 |
| 부하 유형 | 유도, 정전용량, 저항 |
| 기술 | 질화 갈륨(GaN) FET |
| Rds On(통상) | 3.3m옴 |
| 전류 - 출력/채널 | 65A |
| 전류 - 피크 출력 | - |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 80V |
| 전압 - 부하 | 10V ~ 80V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TJ) |
| 특징 | 부트스트랩 회로, 슬루율 제어 |
| 고장 보호 | ESD, UVLO |
| 실장 유형 | 표면 실장, 웨터블 플랭크 |
| 패키지/케이스 | 14-PowerWFQFN |
| 공급 장치 패키지 | 14-QFN(3.5x5) |
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