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| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | 2 P 채널(이중) |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 22nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 1.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC |
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